Електричні властивості анізотипних гетеропереходів n-ТіО2/p-CdTe

Автор(и)

  • Віктор Васильович Брус Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України вул. Ірини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58000, Україна
  • Марія Іванівна Ілащук Чернівецький національній університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Захар Дмитрович Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України вул. Ірини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58000, Україна
  • Павло Дмитрович Мар’янчук Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Костянтин Сергійович Ульяницький Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Анатолій Михайлович Кафанов Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.1781

Ключові слова:

Гетероперехід, ТіО2, CdTe

Анотація

Досліджені електричні властивості n-ТіО2/p-CdTe, виготовлених напиленням плівок TiO2 на свіжо сколоті монокристалічні підкладки CdTe. Протікання струму через досліджувані гетеропереходи обумовлене генераційно-рекомбінаційними процесами у збідненій області та тунелюванням носіїв

Біографії авторів

Віктор Васильович Брус, Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України вул. Ірини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58000

Магістр, аспірант

Чернівецьке відділення

Марія Іванівна Ілащук, Чернівецький національній університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012

Кандидат фізико-математичних наук, асистент

Кафедра електроніки і енергетики

Захар Дмитрович Ковалюк, Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України вул. Ірини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58000

Доктор фізико-математичних наук, професор, керівник

Чернівецьке відділення

Павло Дмитрович Мар’янчук, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012

Доктор фізико-математичних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра електроніки і енергетики

Костянтин Сергійович Ульяницький, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012

Кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник

Кафедра електроніки і енергетики

Анатолій Михайлович Кафанов, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012

Старший науковий співробітник

Кафедра електроніки і енергетики

Посилання

  1. Singh R.S. Nano-structured CdTe, CdS and TiO2 for thin film solar cell application / Singh R.S., Rangari V.K., Rangari V.K., Sanagapalli S., Jayaraman V., Mahendra S., Singh V.P. // Solar Energy Materials & Solar Cells, 82, 315 (2004).
  2. Fahrenbruch A.L. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion / Fahrenbruch A.L., Bube R. H., Academic Press, New York, 1983.
  3. Diebold U. The surface science of titanium dioxide / U. Diebold // Surface Science Reports., 43, 53 (2003).
  4. Ernst K. Contacts to a solar cell with extremely thin CdTe absorber / Ernst K.,Engelhardt R., Ellmer K., Kelch C., Muffler H.-J., Lux-Steiner M.-Ch., Konenkamp R. // Thin Solid Films, 387, 26 (2001).
  5. Матвеев О.А. Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe:Cl для получения полуизолирующих кристалов / Матвеев О.А., Терентьев А.И. // ФТП, 34, 1316 (2000).
  6. Makhniy V.P. Electrical properties janisotype ZnO/ZnSe heterojunctions / Makhniy V.P., Khusnutdinov S.V., Gorley V.V. // Acta Physica Polonica A., 116, 859 (2009).
  7. Косяченко Л.А. Генерация-рекомбинация в области пространственного заряда контакта метал – CdTe / Косяченко Л.А., Махний В.П., Потыкевич И.В. // УФЖ, 23, 279 (1978).
  8. Шарма Б.Л. Полупроводниковые гетеропереходы / Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. – М.:
  9. Сов. Радио, 1979.
  10. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников / Берман Л.С. – Л.: Наука, 1972.
  11. Кикоин К. А. Химические тенденции для глубоких 3d-уровней в полупроводниковых соединениях A2B6 / Кикоин К. А., Курек И. Г., Мельничук С. В. // ФТП, 24, 587 (1990).
  12. Бабий П.И. Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe / Бабий П.И., Слынько В. В., Гнатенко Ю. П., Букивський П. Н., Илащук М. И., Парфенюк О. А. // ФТП, 24, 1444 (1990).

##submission.downloads##

Як цитувати

Брус, В. В., Ілащук, М. І., Ковалюк, З. Д., Мар’янчук, П. Д., Ульяницький, К. С., & Кафанов, А. М. (2012). Електричні властивості анізотипних гетеропереходів n-ТіО2/p-CdTe. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2(5(50), 4–8. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.1781