Фізико-технологічні аспекти багатозарядної імплантації арсенід галію в структурах приладів і схем
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.18109Ключові слова:
іонне легування, багатозарядні домішки, напівізолюючий арсенід галіюАнотація
Метою даної статті якраз і є систематизація даних про основні закономірності процесів іонного легування арсеніду галію, аналіз впливу технологічних факторів на параметри імплантованих шарів, використання методів іонної імплантації в тому числі високоенергетичної багатозарядної при формуванні приладних структур швидкісних великих інтегральних схем на арсеніді галію.Посилання
- Симонов, В. В. Оборудование ионной имплантации [Текст] / В. В. Симонов, Л. В. Корнилов. – М.: Радио и связь, 1988. – 354с.
- Риссел, Х. Ионная имплантация [Текст] / Х. Риссел, И. Руге. – М.:Наука, 1983. – 360с.
- Болтакс, Б. И. Глубокие центри в, связание с собственними структурними дефектами [Текст] / Б. И. Болтакс, М. Н. Колотов, Е. А. Скоретина. - Известия вузов. Физика, 1983. – 10с.
- Афанасєв, В. А. Оборудование для импульсной термообработки полупроводникових материалов [Текст] / В. А. Афанасєв, М. П. Духвський, Г. А. Красов. - Електроника СВЧ, 1984. - 56-58с.
- Окамото, Т. Устройства ионной имплантации [Текст] / Т. Окамото. - Саймицу кикай, 1985. - 1322-1325с.
- Черилов, А. В. Исследование електрофизических характеристик ионнолегированих слоев [Текст] / А. В. Черилов - Електронная техника, 1984. -8-12с.
- Данилов, Ю. А. Електрофизические свойства слоев, получених имплантацией [Текст] / Ю. А. Данилов, П. В. Павлов, Е. А. Питиримова. - ФТП, 1984. - 1673-1678с.
- Риз, Дж. Полуизолирующие соеденения [Текст] / Дж. Риз. – М.: Металургия, 1984. – 410с.
- Новосядлий, С. П. Суб - наномікрона технологія структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. - Івано-Франківськ Місто НВ, 2010. - 456с.
- Новосядлий, С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС [Текст] / С.П. Новосядлий. - Івано-Франківськ : Сімка, 2003. - 52-54с.
- Simon, V. V. Kornilov, L. (1988). Equipment of ion implantation. Radio and Communications, 354.
- Ryssel, H., Ruge, I. (1983). Ion implantation. Science, 360.
- Boltaks, B. I., Kolotov, M. N., Skoretyna, E. A. (1983). Deep centers in gallium arsenide tied up with their own structural defects. Physics, № 10.
- Afanasiev, V. A., Duhvskyy, M., Krasov, G. A. (1984). Equipment for impulse heat treatment of semiconductor materials, Microwave Electronics, 56-58.
- Okamoto, T. (1985). Devices of ion implantation. Saymitsu Kikai, 1322-1325 .
- Cherylov, A. V. (1984). Investigation of electro-physical characteristics of iondoped layers . Electronic equipment, 8-12 .
- Danilov, Y. A., Pavlov, P., Pytyrymova, E. A. (1984). Electro-physical properties of layers obtained by ion implantation of carbon. PTP, 1673-1678 .
- Reese, J. (1984). Semi insulating connections . Metallurgy, 410.
- Novosyadlyy, S. P. (2010). Subnanomykron technology structures LSI. Ivano-Frankivsk City NV, 456.
- Novosyadlyy, S. P. (2003). Physical and technological bases submicron VLSI. Ivano-Frankivsk Seven, 52-54.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, Тарас Петрович Кіндрат, Любомир Васильович Мельник
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
