Прогнозування надійності структур GaP-SnO2 на основі 3D моделей їх поверхні

Автор(и)

  • Світлана Львівна Воропаєва Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича вул. Університетська, 28, м. Чернівці, Україна, 58000, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19683

Ключові слова:

3D моделювання, сенсор УФ випромінювання, інформаційно-вимірювальна система

Анотація

Застосовано прикладне програмне забезпечення пакету MathLab для 3D моделювання морфологічних особливостей поверхні сенсорів УФ випромінювання на основі GaP; показано, що такий підхід можна використати для прогнозування стабільності параметрів і працездатності інформаційно-вимірювальних систем, в яких застосовуються дані сенсори.

Біографія автора

Світлана Львівна Воропаєва, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича вул. Університетська, 28, м. Чернівці, Україна, 58000

Кандидат технічних наук, асистент

Кафедра комп'ютерних систем та мереж

Посилання

  1. Vorobets, G. I. Computer modelling of laser irradiation absorption in multilayer semiconductor structures [Tеxt] / Vorobets G. I., Vorobets O. I., Voropaeva S. L., Tanasyuk Yu. V.// Naukovy Visnyk Chernivetskogo Universitetu: Zbirnyk Naukovyh Prats. Vyp. 426: Fizyka. Elektronika. Thematic issue “Computer systems and components”. Part II. – Chernivtsi, 2008. – P.87-92.
  2. Vorobets, G. I. Fundamental and applied aspects of laser interaction with materials on the interface devices: computer modeling and experimental investigations [Tеxt] / G. I. Vorobets, O. I. Vorobets, S. L. Voropaeva, Yu. G. Dobrovolsky, T. A. Melnychuk // E-MRS 2005, Spring Meeting, Scientific Programme. May 31 – June 3, 2005. – SYMPOSIUM J. – P.J-5/19.
  3. Vorobets, G. I. Aging and degradation of aluminium-silicon structures with a Schottky barrier after a pulsed laser irradiation [Tеxt] / G. I. Vorobets, O. I. Vorobets, A. P. Fedorenko, A. G. Shkavro // Functional materials. – 2003. – Vol. 10, №3. – P.468-473.3.
  4. Vorobets, G. I. Laser manipulation of clusters, structural defects and nanoaggregates in barrier structures on silicon and binary semiconductors [Tеxt] / G. I. Vorobets, O. I. Vorobets, V. N. Strebegev // Applied Surface Science. – 2005. – 247. – P.590-601.
  5. Комащенко, В. Н. Селективные и широкополосные ультрафиолетовые сенсоры [Tекст] / В.Н. Комащенко, К. В. Колежук, Е. Ф. Венгер, Г. И. Шереметова, О. А. Мищук, А. В. Комащенко // Письма в ЖТФ. – 2002. – Том 28. – Вып. 19. – С. 32–36.
  6. Malik, A. A new high ultraviolet sensivity FTO-GaP Schottky photodiode fabricated by spray pyrolysis [Tеxt] / A. Malik, A. Seco, E. Fortunator, R. Martins, B. Shabashkevich, S. Piroszenko // Semicond. Sci. Technol. – № 13. – 1998. – Р.102-107.
  7. Mandalapu, L. J. Ultraviolet photoconductive detectors based on Ga-doped ZnO films grown by molecular-beam epitaxy [Tеxt] / L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, J. L. Liu // Science Direct. Solid-State Electronics 51 — 2007. - р.1014-1017.
  8. Агекян, В. Ф. Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs [Текст] / В. Ф. Агекян, В. И. Іванов-Омский, В. Н. Князевский, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников. – 1998. - Том 32. – № 10. – С. 1203–1205.
  9. Рембеза, С. И. Микроструктура и физические свойства тонких пленок SnO2 [Текст] / С. И. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. С. Рембеза, О. И. Борсякова // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Том 35. – Вып. 7. – С. 796–800.
  10. Рембеза, С. И. Физические свойства пленок SnO2, обработанных некогерентным импульсным излучением [Текст] / С. И. Рембеза, Е. С.Рембеза, Т. В. Свистова, О. И. Борсякова // Физика и техника полупроводников. – 2006. Том 40. - Вып. 1. – С. 57–60.
  11. Vorobets, G. I., Vorobets, O. I., Voropaeva, S. L., Tanasyuk, Yu. V. (2008). Computer modelling of laser irradiation absorption in multilayer semiconductor structures. Naukovy Visnyk Chernivetskogo Universitetu. Thematic issue “Computer systems and components”, 426, Part II, 87-92.
  12. Vorobets, G. I., Vorobets, O. I., Voropaeva, S. L., Dobrovolsky, Yu. G., Melnychuk, T. A. (2005). Fundamental and applied aspects of laser interaction with materials on the interface devices: computer modeling and experimental investigations. E-MRS 2005, Spring Meeting, Scientific Programme, J-5/19.
  13. Vorobets, G.I., Vorobets, O.I., Fedorenko, A.P., Shkavro A.G. (2003) Aging and degradation of aluminium-silicon structures with a Schottky barrier after a pulsed laser irradiation Functional materials, Vol. 10, №3. 468-473.
  14. Vorobets, G. I., Vorobets, O. I., & Strebegev, V. N. (2005). Laser manipulation of clusters, structural defects and nanoaggregates in barrier structures on silicon and binary semi-conductors. Applied surface science, 247(1), 590-601.
  15. Komashchenko, V. N., Kolezhuk, K. V., Venher, E. F., Sheremetova, H. Y., Myshchuk, O. A., & Komashchenko, A. V. (2002). Selektyvnye y shyrokopolosnye ultrafyoletovye sensory. Pysma v ZhTF, 28(19).
  16. Malik, A., Sêco, A., Fortunato, E., Martins, R., Shabashkevich, B., & Piroszenko, S. (1998). A new high ultraviolet sensitivity FTO-GaP Schottky photodiode fabricated by spray pyrolysis. Semiconductor science and technology, 13(1), 102.
  17. Mandalapu, L. J., Xiu, F. X., Yang, Z., & Liu, J. L. (2007). Ultraviolet photoconductive detectors based on Ga-doped ZnO films grown by molecular-beam epitaxy. Solid-state electronics, 51(7), 1014-1017.
  18. Ahekian, V. F., Yvanov–Omskyi, V. Y., Kniazevskyi, V. N., Rud, V. Iu., & Rud, Iu. V. (1998). Optoelektronnye yavlenyia v sloiakh, poluchennykh nytryrovanyem GaP y GaAs. Fyzyka y tekhnyka poluprovodnykov, 32(10), 1203-1205
  19. Rembeza, S. Y., Svystova, T. V., Rembeza, E. S., & Borsiakova, O. Y. (2001). Mykrostruktura y fyzycheskye svoistva tonkykh plenok SnO2. Fyzyka y tekhnyka poluprovodnykov, 35(7), 796-800.
  20. Rembeza, S. Y., Rembeza, E. S., Svystova, T. V., & Borsiakova, O. Y. (2006). Fyzycheskye svoistva plenok SnO. Fyzyka y tekhnyka poluprovodnykov, 40(1), 57-60

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-01-04

Як цитувати

Воропаєва, С. Л. (2014). Прогнозування надійності структур GaP-SnO2 на основі 3D моделей їх поверхні. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(66), 96–98. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19683

Номер

Том 6 № 12(66) (2013): Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Розділ

Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Світлана Львівна Воропаєва

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.