Епітаксійні структури на базі Cd1-xZnxSb та лазерна оптимізація їх властивостей

Автор(и)

  • Юрий Константинович Обедзинский Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна, Україна
  • Андрей Иосифович Савчук Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна, Україна
  • Виктор Николаевич Стребежев Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна, Україна
  • Иван Николаевич Юрийчук Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19696

Ключові слова:

напівпровідник, фото чутливість, епітаксійна структура, лазер, кристал, CdSb, Cd1-xZnxSb, гетероперехід, домішка

Анотація

Методом рідиннофазової епітаксії отримані фоточутливі елементи на основі базових монокристалів CdSb і Cd1-xZnxSb, легованих домішками Te, In, Ga. Після оптимальних режимів обробки лазером східчаста поверхня шарів CdSb набуває впродядковану планарну морфологію, зменшується густина структурних дефектів в області гетерограниці та ширина перехідної області. Оптимальна фоточутливість епітаксійних структур досягається легуванням підкладок домішкою Те. 

Біографії авторів

Юрий Константинович Обедзинский, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна

Завідувач лабораторією

Кафедра фізики напівпровідників и наноструктур

 

Андрей Иосифович Савчук, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна

Доктор фізико-математичних наук, професор

Кафедра фізики напівпровідників і наноструктур

Виктор Николаевич Стребежев, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна

Кандидат фізико математичних наук, доцент

Кафедра фізики напівпровідників и наноструктур

Иван Николаевич Юрийчук, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна

Кандидат фізико математичних, доцент

Кафедра фізики напівпровідників і наноструктур

Посилання

  1. Dremlyuzhenko, S. G. Chemical etching of CdSb single crystals: Thermodynamic analysis [Text] / S. G. Dremlyuzhenko, A. G. Voloshchuk, B. N. Gritsyuk, I. M. Rarenko, V. N. Strebezhev // Inorganic Materials – 2003 – V.39(12) – P. 1239-1245.
  2. Ashcheulov, A. A. CdSb, ZnSb, and CdxZn1-xSb low-symmetry crystals: Chemical bonding and technological aspects [Text] / A. A. Ashcheulov, I. V. Gutsul, O. N. Manyk, T. O. Manyk, S. F. Marenkin // Inorganic Materials – 2010 – V.46(6) – P. 574-580.
  3. Kashiwaba, Y. Preparation of electrical properties of CdSb thin films [Text] / Y. Kashiwaba, N. Ohya, T. Ikeda // Japanese Journal of Applied Physics, Part 1. – 1986. – V. 25(12). – P. 1855-1861.
  4. Kashiwaba, Y. Selective migration of Cd in amorphous Cd-Sb films [Text] / Y. Kashiwaba, H. Abe, T. Ikeda, H. Horie, M. Nakamura, Y. Shoubuzawa // Jpn.J.Appl.Phys. – 1996. – V.35, N 7. – P. 3825-3829.
  5. Gritsyuk, B. M. IR photodetectors on CdSb, In4Se3, In4Te3-epitaxial barrier structures [Text] / B. M. Gritsyuk, O. V. Galochkin, A. I. Rarenko, V. M. Strebezhev // Proceedings of SPIE. – 2003. – V. 5065. – P. 139-145.
  6. Vorobets, G. I. Laser manipulation of clasters, structural defects and nanoaggregates in barrier structures on silicon and binary semiconductors. [Text] / G. I. Vorobets, O. I. Vorobets, V. N. Strebegev // Applied Surface Science. – 2005. – V. 247. – P. 590-601.
  7. Милнс, А. Гетероструктуры и переход металл-полупроводник [Текст] / А. Милнс, Д. Фойхт // М.: Мир, 1975. – 432 с.
  8. Mohamed, A. A. On the identification of new and normal phases in system of cadmium-antimony alloys [Text] / A. A. Mohamed, S. A. Saleh, E. A. Abou-Saif, Abd-Rabom // Phys. Status Solidi. – 1983. – V.78. – P.705-716.
  9. Tengå, A. Metastable Cd4Sb3: A complex structured intermetallic compound with semiconductor properties [Text] / A. Tengå, S. Lidin, J.-P. Belieres, N. Newman, Y. Wu, U. Häussermann // Journal of the American Chemical Society. – 2008. – V.130(46). – P. 15564-15572.
  10. Dremluzhenko, S. G. Interference IR-filters on the CdSb monocrystal substrates [Text] / S. G. Dremluzhenko, L. I. Konopatseva, S. M. Kulikovskaya, Yu. P. Stetsko, V. N. Strebezhev, A. I. Rarenko, S. E. Ostapov // Proceedings of SPIE. – 1999. – V. 3890. – P. 104-110.
  11. Dremlyuzhenko, S. G., Voloshchuk, A. G., Gritsyuk, B. N., Rarenko, I. M., Strebezhev, V. N. (2003). Chemical etching of CdSb single crystals: Thermodynamic analysis. Inorganic Materials, 39(12), 239-1245.
  12. Ashcheulov, A. A., Gutsul, I. V., Manyk, O. N., Manyk, T. O., Marenkin, S. F. (2010). CdSb, ZnSb, and CdxZn1-xSb low-symmetry crystals: Chemical bonding and technological aspects. Inorganic Materials, 46(6), 574-580.
  13. Kashiwaba, Y., Ohya, N., Ikeda, T. (1986). Preparation of electrical properties of CdSb thin films. Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 25(12), 1855-1861.
  14. Kashiwaba, Y., Abe, H., Ikeda, T., Horie, H., Nakamura, M., Shoubuzawa, Y. (1996). Selective migration of Cd in amorphous Cd-Sb films. Jpn.J.Appl.Phys., 35(7), 3825-3829.
  15. Gritsyuk, B. M., Galochkin, O. V., Rarenko, A. I., Strebezhev, V. M. (2003). IR photodetectors on CdSb, In4Se3, In4Te3-epitaxial barrier structures. Proceedings of SPIE, 5065, 39-145.
  16. Vorobets, G. I., Vorobets, O. I., Strebegev, V. N. (2005). Laser manipulation of clasters, structural defects and nanoaggregates in barrier structures on silicon and binary semiconductors. Applied Surface Science, 247, 590-601.
  17. Feucht, D. L., Milnes, A. G. (1970). Heterojunctions and metal-semiconductor junctions. N.Y: Academic Press, 432.
  18. Mohamed, A. A., Saleh, S. A., Abou-Saif, E. A., Abd-Rabom. (1983). On the identification of new and normal phases in system of cadmium-antimony alloys. Phys. Status Solidi, 78, 705-716.
  19. Tengå, A., Lidin, S., Belieres, J.-P., Newman, N., Wu, Y., Häussermann, U. (2008). Metastable Cd4Sb3: A complex structured intermetallic compound with semiconductor properties. Journal of the American Chemical Society, 130(46), 15564-15572.
  20. Dremluzhenko, S. G., Konopatseva, L. I., Kulikovskaya, S. M., Stetsko, Yu. P., Strebezhev, V. N., Rarenko, A. I., Ostapov, S. E. (1999). Interference IR-filters on the CdSb monocrystal substrates. Proceedings of SPIE, 3890, 104-110.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-01-04

Як цитувати

Обедзинский, Ю. К., Савчук, А. И., Стребежев, В. Н., & Юрийчук, И. Н. (2014). Епітаксійні структури на базі Cd1-xZnxSb та лазерна оптимізація їх властивостей. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(66), 103–106. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19696

Номер

Том 6 № 12(66) (2013): Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Розділ

Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Юрий Константинович Обедзинский, Андрей Иосифович Савчук, Виктор Николаевич Стребежев, Иван Николаевич Юрийчук

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.