Реактор плазмового піролізу моносилану

Автор(и)

  • Станислав Владимирович Петров Інститут газу НАНУ Вул.. Дегтярівська, 39, м. Київ, Україна, 03113, Україна https://orcid.org/0000-0003-0373-8003

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.23395

Ключові слова:

плазмовий піроліз, кремній, реактор, плазмотрон, циклон, гарнісаж, моносилан, конденсація, розплав

Анотація

Розглядаються плазмові технології та обладнання для отримання із моносилану через рідинну фазу гранул кремнію в одному апараті. Показано, що  будь-які науково-технічні обмеження на практичну реалізацію технології відсутні. Отримані експериментальне підтвердження та адекватний математичний опис процесів плазмохімічного піролізу моносилану, конденсації пару кремнію в розплав, утворення гарнісажу та перехід плівкової течії в капелькове, що дозволяють здійснити інженерну розробку пілотної установки на продуктивність 100 кг/год.

Біографія автора

Станислав Владимирович Петров, Інститут газу НАНУ Вул.. Дегтярівська, 39, м. Київ, Україна, 03113

Доктор технічних наук

Відділ плазмових технологій

Посилання

  1. Петров, С. В. Плазменный процесс получения ≪солнечного≫ кремния [Текст] / С. В. Петров // Современная электрометаллургия. – 2013. – № 3. – С. 37–44.
  2. Polysilicon Production based on Monosilane Technology [Text] / Schmid Silicon Technology GmbH, 2011. – 37 p.
  3. Иванов, В. М. Современные тенденции развития промышленности поликристаллического полупроводникового кремния [Текст] / В. М. Иванов, Ю. В. Трубицын // Науковий вісник КУЕІТУ. Нові технології. – 2009. – № 1 (23). – С. 30–35.
  4. Нагорный, С. Л. Основные требования к технологическим схемам получения кремния солнечного качества [Текст] : наук. пр. / С. Л. Нагорный, Т. В. Критская, Л. Я. Шварцман // Металургія. Запорiзька державна iнженерна академiя. – 2009. – Вип. 19. – С. 72–81.
  5. Абдюханов, И. М. Разработка основ технологии производства металлургического кремния повышенной чистоты для наземной фотоэнергетики [Текст] / И. М. Абдюханов // Российский химический журнал (Ж. Рос. хим. об-ва им. Д. И. Менделеева). – 2001. – Т. XLV, № 5-6. – С. 107–111.
  6. Яркин, В. Н. Кремний для солнечной энергетики: конкуренция технологий, влияние рынка, проблемы развития. [Текст] / В. Н. Яркин, О. А. Кисарин, Ю. В. Реков, И. Ф. Червоний // Теория и практика металлургии. – 2010. – № 1-2. – С. 114–126.
  7. Ove Odden, Jan Comparison of the energy consumption in different production processes for solar grade silicon. [Text] / Jan Ove Odden, G. Halvorsen, H. Rong, R. Glockner. – Silicon for the Chemical and Solar Industry IX Oslo, Norway. – 2008. – 16 р.
  8. Петров, С. В. Плазменные технологи в воспроизводимых источниках энергии [Текст] / С. В. Петров, С. Г. Бондаренко, Е. Г. Дидык // Енергетика та електрифікація. – 2010. – № 1. – С. 53–59.
  9. Петров, С. В. Плазменная технология получения солнечного кремния [Текст] / С. В. Петров, В. А. Жовтянский // Энергоэффективность. – 2013. – С. 82–85.
  10. Hogness, T. R. The thermal decomposition of silane [Text] / T. R. Hogness, Th. L. Wilson, W. C. Johnson // J. American Chem. Soc. – 1996. – № 38. – P. 108–112.
  11. Petrov, S. V. (2013). Plazmennyj process poluchenija «solnechnogo » kremnija. Sovremennaja jelektrometallurgija, 3, 37–44.
  12. Polysilicon Production based on Monosilane Technology (2011). Schmid Silicon Technology GmbH, 37.
  13. Ivanov, V. M., Trubicyn, Ju. V. (2009). Sovremennye tendencii razvitija promyshlennosti polikristallicheskogo poluprovodnikovogo kremnija. Naukovij vіsnik KUEІTU. Novі tehnologіi, 1 (23), 30–35.
  14. Nagornyj, S. L., Kritskaja, T. V., Shvarcman, L. Ja. (2009). Osnovnye trebovanija k tehnologicheskim shemam poluchenija kremnija solnechnogo kachestva. Metalurgіja. Zaporiz’ka derzhavna inzhenerna akademija, Issue 19, 72–81.
  15. Abdjuhanov, I. M. (2001). Razrabotka osnov tehnologii proizvodstva metallurgicheskogo kremnija povyshennoj chistoty dlja nazemnoj fotojenergetiki. Rossijskij himicheskij zhurnal (Zh. Ros. him. ob-va im. D. I. Mendeleeva), Vol. XLV, № 5-6, 107–111.
  16. Jarkin, V. N., Kisarin, O. A., Rekov, Ju. V., Chervonij, I. F. (2010). Kremnij dlja solnechnoj jenergetiki: konkurencija tehnologij, vlijanie rynka, problemy razvitija. Teorija i praktika metallurgii, 1-2, 114–126.
  17. Ove Odden, Jan, Halvorsen, G., Rong, H., Glockner, R. (2008). Comparison of the energy consumption in different production processes for solar grade silicon. Silicon for the Chemical and Solar Industry IX Oslo, Norway, 16.
  18. Petrov, S. V., Bondarenko, S. G., Didyk, E. G. (2010). Plazmennye tehnologi v vosproizvodimyh istochnikah jenergii. Energetika ta elektrifіkacіja, 1, 53–59.
  19. Petrov, S. V., Zhovtjanskij, V. A. (2013). Plazmennaja tehnologija poluchenija solnechnogo kremnija. Jenergojeffektivnost’, 82–85.
  20. Hogness, T. R., Wilson, Th. L., Johnson, W. C. (1996). The thermal decomposition of silane. J. American Chem. Soc., 38, 108–112.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-04-15

Як цитувати

Петров, С. В. (2014). Реактор плазмового піролізу моносилану. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2(5(68), 31–38. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.23395

Номер

Том 2 № 5(68) (2014): Прикладна фізика

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Станислав Владимирович Петров

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.