Впровадження плазмохімічного травлення в субмікронну технології структур інтегральних схем
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.42128Ключові слова:
плазмохімічне травлення, осадження, боро–фосфоро силікатне скло, фоторезист, реакторАнотація
При освоєнні діапазону суб– і наномікронних елементів інтегральних схем виникає ряд проблем, яких або взагалі не було при розробці технології виготовлення з мінімальними розмірами елементів більше , або вони не представлялись значними. Дана стаття розкриває саме перспективу та альтернативу використання субмікронної технології плазмохімічного травлення та впровадження її у виробництво
Посилання
- Novosyadlyy, S. P. (2010). Sub–nanomykron technology structures LSI. Ivano–Frankivsk: City NV, 456.
- Novosyadlyy, S. P. (2003). Physical and technological bases submicron VLSI. Ivano–Frankivsk: Simyk, 52–54.
- Simon, V. V. Kornilov, L. (1988). Equipment of ion implantation. Moscow: Radio and Communications, 354.
- Ryssel, H., Ruge, I. (1983). Ion implantation. Moscow: Science, 360.
- Boltaks, B. I., Kolotov, M. N., Skoretyna, E. A. (1983). Deep centers in gallium arsenide tied up with their own structural defects. Physics, 10.
- Afanasiev, V. A., Duhvskyy, M., Krasov, G. A. (1984). Equipment for impulse heat treatment of semiconductor materials. Microwave Electronics, 56–58.
- Okamoto, T. (1985). Devices of ion implantation. Saymitsu Kikai, 1322–1325.
- Cherylov, A. V. (1984). Investigation of electro–physical characteristics of ion–doped layers . Electronic equipment, 8–12.
- Di Lorenzo, A. V., Kandeluola, D. D. (1988). Field–effect transistors on gallium arsenide. M: Radio and Communications, 489.
- Watanabe, N., Asada, K., Kani, K., Otsuki, T. (1988). VLSI Design. Moscow: Mir, 304.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Степан Петрович Новосядлий, Любомир Васильович Мельник, Святослав Володимирович Новосядлий
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
