Особливості вирощування кремнієвих основ для виробництва полікристалічного кремнію
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.4614Ключові слова:
полікристалічний кремній, напилений шар, напруга, газове середовище, індуктор.Анотація
Розглянуто вплив середовища вирощування кремнієвих основ на утворення на їх поверхні напиленого шару. Виключення утворення на поверхні кремнієвих основ напиленого шару пропонується шляхом проведення процесу плавки в газовому середовищі при тиску вище атмосферного.Посилання
- Johannes Bernreuter. Polysilicon industry faces shakeout [Электронный ресурс] - Режим доступа : http://www.bernreuter.com/fileadmin/user_upload/silicon_report/Polysilicon_Industry.pdf/ – 23.09.2012.
- Travis Bradford. Polysilicon: Supply, Demand and Implications for the PV Industry [Электронный ресурс] - Режим доступа : http://www.greentechmedia.com/research/report/polysilicon-supply-demand-and-implications-for-the-pv-industry/, 20.09.2012
- Green Rhino Energy. Value Chain Activity: Producing Polysilicon [Электронный ресурс] - Режим доступа : http://www.greenrhinoenergy.com/solar/industry/ind_01_silicon.php/, 23.09.2012.
- Brett Prior, Carolyn Campbell. Polysilicon 2012-2016: Supply, Demand & Implications for the Global PV Industry [Электронный ресурс] - Режим доступа : http://www.greentechmedia.com/research/report/polysilicon-2012-2016, 13.09.2012
- Бочкарев, Э. П. Полупроводниковый поликристаллический кремний [Текст] / А. В. Елютин, Л. С. Иванов // Изв. вузов. Цветная металлургия. - 1997. - № 5. - С. 20-26.
- Андреев, В. В. Как организовать делопроизводство на предприятии [Текст] / В. В. Андреев. – М.: ИНФРА-М, 1997. – 94 с.
- Салли, И. В. Производство полупроводникового кремния [Текст] / Э. С. Фалькевич. – М. : Металлургия, 1970. – 152 с.
- Нашельский, А. Я. Производство полупроводниковых материалов [Текст] / А. Я. Нашельский. – М. : Металлургия, 1989. – 272 с.
- Кожитов, Л. В. Технологическое вакуумное оборудование. Часть 1. Вакуумные системы технологичсекого оборудования: Учебник для вузов [Текст] / А. Ю. Зарапин, Н. А. Чиченев. – М. : Издательский дом «Руда и металлы», 2001. – 416 с.
- Фалькевич, Э. С. Технология полупроводникового кремния. Монография [Текст] / Э. С. Фалькевич, Э. О. Пульнер, И. Ф. Червоный, Л. Я. Шварцман, В. Н. Яркин, И. В. Салли // М. : Металлургия, 1992. – 408 с.
- Хирс, Д. Испарение и конденсация, пер. с англ. [Текст] / Д. Хирс, Г. Паунд // М. : Металлургия, 1966. – 196 с.
- Еланский, Г. Н. Исследование угара железа в дуговых электропечах и изменение физических свойств стали при внепечной обработке / М. В. Шишимиров, О. М. Сосонкин, К. С. Филиппов, Сазонов А. П., Крюков А. П., М. С. Добрикова [Электронный ресурс] - Режим доступа : http://ruconf.ru/upload/iblock/587/9af2e7079cc42ce1ca10412b694d085c.pdf, 10.09.2012.
- Friedrich Paschen. Uber die zum Funkenübergang in Luft, Wasserstoff und Kohlensäure bei verschiedenen Drucken erforderliche Potentialdifferenz. Annalen der Physik. 1889. – V. 273, Issue 5. – Р. 69-96. (см. также электронный ресурс – Режим доступа : http://ru.wikipedia.org/wiki/%C7%E0%EA%EE%ED_%CF%E0%F8%E5%ED%E0. 10.09.2012.
- Ратников Д.Г. Бестигельная зонная плавка.- М.: Металлургиздат, 1976. - 224 с.
- Вайнберг А.М. Индукционные плавильные печи / уч. пособие для вузов. Изд. 2, перераб. и доп. - М.: Энергия, 1967. - 416 с.
- Слухоцкий, А. Е. Индукторы для индукционного нагрева [Текст] / А. Е. Слухоцкий, С. Е. Рыскин. – Л. : «Энергия», 1974. – 264 с. с ил.
- Patent US 2011/0204044 Al United States, МПК7 H 05 B 6/36, U.S. Cl. 219/672. High-frequency coil pulling holes arrangement for producing multiple silicon cores [Электронный ресурс] / Chaoxuan Liu, Luoyang (CN) ; Режим доступа : http://www.google.com/patents?id=PdrrAQAAEBAJ&printsec=abstract&zoom=4&hl=ru#v=onepage&q&f=false , 20.09.2012
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Иван Федорович Червоный, Юрий Васильевич Реков, Сергей Геннадиевич Егоров
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
