Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.54233Ключові слова:
багатозарядна іонна імплантація, арсенід галію, КМОН технологія, транзистор Шотткі, p -n перехід, варізонний сонячний елементАнотація
Розроблена технологія виготовлення іонно-легованих структур GaAs. Імплантація іонів кремнію, берилію, цинку проводилась в підкладку із напівізолюючого арсеніду галію марки АГЧП-2а. Імплантація домішки через капсулююче покриття дозволило отримати досить високі значення рухливості носіїв струму в каналах польового транзистора Шотткі (ПТШ), що дозволяє формувати на них КМОН-структури. Застосування багатозарядної імплантації та імпульсного фотонного відпалу для активації n+-областей витоку і стоку забезпечило рівень ретроградного легування стік-витокових контактів на рівні (2–5)·1018 см-3.
Посилання
- Ryssel, H., Ruge, I. (1983). Ion implantation. Moscow: Science, 360.
- Van Tuyl, R. L., Kumar, V., D’Avanzo, D. C., Taylor, T. W., Peterson, V. E., Hornbuckle, D. P. et al. (1982). A manufacturing process for analog and digital gallium arsenide integrated circuits. IEEE Transactions on Electron Devices, 29 (7), 1031–1038. doi: 10.1109/t-ed.1982.20830
- Novosyadlyy, S. P. (2010). Sub- and nano-scale technology of large scale integration circuits. Ivano-Frankivsk, Ukraine: Misto NV, 455.
- Novosyadlyy, S. P., Berezhansky, V. M. (2007). Multiply charged ion-implantation processing in the formation of pockets and metallization submicron VLSI structures. Metal Physics and the latest technology, 29 (7), 857–866.
- Novosyadlyy, S. P., Melnyk, L. V., Marchuk, S. M., Varvaruk, V. M. (2014). Models Semiinsulating Layers of Gallium Arsenide in Their Formation of Multiply Charged Ion Implantation. Physics and Chemistry of Solid State, 15 (4), 872–878.
- Simon, V. V. Kornilov, L. (1988). Equipment of ion implantation. Moscow: Radio and Communications, 354.
- Boltaks, B. I., Kolotov, M. N., Skoretina, E. A. (1983). Glubokie centry v GaAs, svjazanye s sobstvennymi strukturnymi defektami. Izvestija vuzov. Fizika, 10.
- Afanas'ev, V. A., Duhnovskij, M. P., Krysov, G. A. (1984). Oborudovanie dlja impul'snoj termoobrabotki poluprovodnikovyh materialov. Elektronika SVCh, 56–58.
- Okamoto, T. (1985). Ustrojstva ionnoj implantacii. Sajmicu kikaj, 1322–1325.
- Cherilov, A. V. (1984). Issledovanie elektrofizicheskih harakteristik ionno–legirovanih sloev. Elektronnaja tehnika, 8–12.
- Einspruch, N. G., Frensley, W. R. (1983). VLSI Electronics: Microstructure Science. Heterostructures and Quantum Devices. San Diego: Academic Press, Inc., 452.
- Mishra, S., Bhaumik, S., Panda, J. K., Ojha, S., Dhar, A., Kabiraj, D., Roy, A. (2013). Strain buildup in GaAs due to 100MeV Ag ion irradiation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 316, 192–197. doi: 10.1016/j.nimb.2013.09.010
- Koumetz, S. D., Pesant, J.-C., Dubois, C. (2008). A computational study of ion-implanted beryllium diffusion in gallium arsenide. Computational Materials Science, 43 (4), 902–908. doi: 10.1016/j.commatsci.2008.02.003
- Pribat, D., Dieumegard, D., Croset, M., Cohen, C., Nipoti, R., Siejka, J. et al. (1983). Ion implantation of silicon in gallium arsenide: Damage and annealing characterizations. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 209-210 (2), 737–742. doi: 10.1016/0167-5087(83)90876-1
- Hutchinson, S., Gwilliam, R., Kelly, M., Sealy, B., Chew, A., Stephens, J. (1999). Acceptor profile control in GaAs using co-implantation of Zn and P. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 148 (1–4), 459–462. doi: 10.1016/s0168-583x(98)00674-0
- Jayavel, P., Santhakumar, K., Rajagopalan, S., Sastry, V. S., Balamurugan, K., Nair, K. G. M. (2002). The effect of nitrogen implantation on structural changes in semi-insulating GaAs. Materials Science and Engineering: B, 94 (1), 66–70. doi: 10.1016/s0921-5107(02)00086-7
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Степан Петрович Новосядлий, Сергій Іванович Бойко, Любомир Васильович Мельник, Святослав Володимирович Новосядлий
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
