Дослідження мікронеоднорідності розподілу домішки в монокристалах кремнію

Автор(и)

  • Иван Федорович Червоный Запорізька державна інженерна академія, пр. Леніна, 226, м. Запоріжжя, Україна, 69006, Україна
  • Ольга Петровна Головко Запорізька державна інженерна академія пр. Леніна, 226, м. Запоріжжя, Україна, 69006, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.56909

Ключові слова:

кремній, фронт кристалізації, монокристал, домішка, неоднорідність, страти, мікросхема, концентрація, переохолодження, фаза

Анотація

Виконано аналіз утворення стратової неоднорідності за рахунок накопичення домішки в розплаві у фронту кристалізації при вирощуванні монокристалів кремнію і розглянута модель прискореної кристалізації цієї області розплаву. Для усунення або значного зниження умов утворення страт, пропонується застосовувати режими вирощування монокристалів при високих швидкостях, що виключить накопичення домішки у фронту кристалізації і забезпечить однорідний її розподіл за об'ємом монокристала.

Біографії авторів

Иван Федорович Червоный, Запорізька державна інженерна академія, пр. Леніна, 226, м. Запоріжжя, Україна, 69006

Доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри Кафедра металургії кольорових металів

Ольга Петровна Головко, Запорізька державна інженерна академія пр. Леніна, 226, м. Запоріжжя, Україна, 69006

Кандидат фізико-математичних наук, доцент

Кафедра металургії кольорових металів

Посилання

  1. Zakon Mura i ego vliyanie na mikroprotsessoryi. Sozdaem svoy protsessor. Available at: http://www.igromania.ru/articles/46496/Zakon_Mura_i_ego_vliyanie_na_mikroprocessory.htm
  2. Friedrich, J., Stockmeier, L., Muller, G. (2013). Constitutional Supercooling in Czochralski Growth of Heavily Doped Silicon Crystals. Acta Physica Polonica, 124 (2), 219–226. doi: 10.12693/aphyspola.124.219
  3. Galindo, V., Niemietz, K., Pätzold, O., Gerbeth, G. (2012). Numerical and experimental modeling of VGF-type buoyant flow under the influence of traveling and rotating magnetic fields. Journal of Crystal Growth. 5th International Workshop on Crystal Growth Technology, 360, 30–34. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2011.09.035
  4. Patent RU 2257428. Byivalyiy. Sposob polucheniya odnorodnyih mono-kristallov. pulished 27.07.2005. Byul. № 2. Available at: http://www.freepatent.ru/images/patents/211/2257428/patent-2257428.pdf (Last accessed: 15.09.2014).
  5. Dumitrica, S., Vizman, D., Garandet, J.-P., Popescu, A. (2012). Numerical studies on a type of mechanical stirring in directional solidification method of multicrystalline silicon for photovoltaic applications. Journal of Crystal Growth, 360, 76–80. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2012.01.011
  6. Iino, E., Takano, K., Fusegawa, I., Yamagishi, H. Formation of interstitial oxygen striations in cz grown silicon single crystals. Available at: http://books.google.ru/books?id=p4OJQlKloOoC&pg=PA148&lpg=PA148&dq=Striations+in+the+single-crystals+of+silicon&source=bl&ots=pnkfQXVhDF&sig=O0rzDRWDplSFJi0qbGo-WUlJlyE&hl=ru&sa=X&ei=PZ1kU9ahDqrzyAOfz4GQAw&ved=0CD0Q6AEwAg#v=onepage&q=Striat&f=false (Last accessed: 15.10.2015).
  7. Sluchinskaya, I. A. (2002). Osnovyi materialovedeniya i tehnologii polupro-vodnikov. Moscow: Nauka, 376. Available at: http://www.twirpx.com/file/96095/ (Last accessed: 17.08.2014).
  8. Chervonyi, I. F., Rekov, Y. V., Shvets, E. Ya., Golovko, O. P., Golovko, V. Yu., Egorov, S. G. (2014). The tunneling Phenomenon of crystallization of solid state materials in another (the effect Chervony). Scientific discovery –2013. Acollection of short descriptions of scientific discoveries, scientific ideas, scientific hypotheses. Moscow: Academy of natural Sciences, 31–33.
  9. Bagdasarov, H. S. (2004). High-Temperature crystallization from the melt. Moscow: FIZMATLIT, 160.
  10. Fal'kevich, Je. S., Pul'ner, Je. O., Chervonyj, I. F., Shvarcman, L. Ja., Jarkim, V. N., Salli, I. V., Pul'ner, Je. O., Chervonyj, I. F. (1992). Tehnologija poluprovodnikovogo kremnija. Moscow: Metallurgija, 408.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-12-25

Як цитувати

Червоный, И. Ф., & Головко, О. П. (2015). Дослідження мікронеоднорідності розподілу домішки в монокристалах кремнію. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(5(78), 41–47. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.56909

Номер

Том 6 № 5(78) (2015): Прикладна фізика

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2015 Иван Федорович Червоный, Ольга Петровна Головко

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.